Purity − 5ppm
? التوحيد الجيد
? الكثافة العالية والارتقاء
? مقاومة جيدة للفساد والكربون
‣ تكييف مهني
? وقت قصير
Stable supply
‣ مراقبة الجودة والتحسين المستمر
Epitaxy of GaN on Sapphire (RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxy of GaN on Si Substrate (UVC);
Epitaxy of GaN on Si Substrate (Electronical Device);
Epitaxy of Si on Si Substrate (Integrated circuit);
Epitaxy of SiC on SiC Substrate (Substrate);
Epitaxy of InP on InP
عالية الجودة MOCVD Susceptor شراء على الإنترنت في الصين
A wafer needs to pass through several steps before it is ready for use in electronic devices. One important process is silicon epitaxy, in which the wafers are carried on graphite susceptors. وتؤثر خصائص ونوعية المستقبِلين تأثيرا حاسما على نوعية طبقة الوفير الوبائية.
أما بالنسبة لمراحل التصوير الفلمي الرقيقة، مثل النسيج الوبائي أو MCVD، فإن نظام VET يزود بالرسوم البيانية التي تستخدم لدعم المقاطع الفرعية أو " الموجات " . At the core of the process, this equipment, epitaxy susceptors or satellite platforms for the MOCVD, are first subjected to the deposition environment:
درجة حرارة عالية.
فراغ عالي.
استخدام السلائف الغازية العدوانية.
عدم تلوث الهواء، وعدم التبول.
مقاومة الأحماض القوية أثناء عمليات التنظيف
VET فالطاقة هي الصانع الحقيقي لمنتجات الرسوم البيانية المصممة حسب الطلب ومنتجات الكاربايد السيليكون مع طلاء للصناعة شبه الموصلية والفولطية الضوئية. فريقنا التقني يأتي من أعلى مؤسسات البحوث المحلية، يمكن أن يوفر المزيد من الحلول المادية المهنية بالنسبة لك.
ونعمل باستمرار على تطوير عمليات متطورة لتوفير مواد أكثر تقدماً، وعملنا على وضع تكنولوجيا حصرية ذات براءات اختراع، مما يمكن أن يجعل الترابط بين المعاطف والسترة الفرعية أكثر صرامة وأقل عرضة للفصل.
رسوم منتجاتنا:
1 ارتفاع درجة حرارة مقاومة الأكسدة حتى 1700 درجة مئوية.
2. النقاء الشديد والوحدة الحرارية
3 مقاومة تآكل ممتازة: حامض، ألكالي، الملح والثدي العضوي.
4 شدّة عالية، سطح مدمج، جزيئات جميلة.
5 أطول مدة خدمة وأكثر استدامة
|
CVD نعمجيم' 薄膜 تكاليف التشغيل الخواص المادية الأساسية لشركة CVD SiC معطف |
|
|
√ / الممتلكات |
典型 / Value Typical |
|
晶 تمهيدا/هيكل كريستال |
FCC ßæsident Èæá ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÑÇÊ ÈÇá ÈÇÊ ÈÑÇÊ ÈÑÇÊ ÈÇÊ ÈÑÇÊ ÈÇá Ú ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇÊ ÈÇÊ ÈÇÊ ÈÑÇÊ ÈÇÊ ÈÇÊ ÈÇÊ Ýí Ýí Ýí Ýí Ýí Ýí Ýí ÈÇÊ ÈÇÊ ÈÇä ÇáÚÇä ÇáÚÇä ÇáÚÇä ÈÇä ÇáÚÇä ÇáÚÇä ÇáÚÇá ÈÇä ÇáÚÇä ÇáÚÇá ÈÇá ÈÇáí ÈÇä ÈÇä ÈÇä ÈÇä ÈÇä ÇáÚÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇá ÈÇä ÈÇä ÈÇá |
|
▪ / الكثافة |
3.21 غرام/سم3 |
|
硬 /العجز |
2500 维(500g load) |
|
晶粒 Annex / Grain SiZe |
2~10 ميكروغرام |
|
纯 纯/ Chemical Purity |
99.99995% |
|
热 − / Heat Capacity |
640 يكغ-1·K-1 |
|
升за / Sublimation Temperature |
2700 درجة مئوية |
|
' 12` و ' ' القوة الافتراضية`` |
415 MPa RT 4-point |
|
杨氏模 杨氏模 / Young’ s Modulus |
430 Gpa 4pt bend, 1300°C |
|
السلوك الحراري |
300 امرأة-1·K-1 |
|
热膨胀系 / التوسع الحراري |
4.510x-6K-1 |
نرحب بكم ترحيبا حارا في زيارة مصنعنا، دعونا نجري المزيد من المناقشة!
With R ' D capabilities from key materials to end application products, the core and key technologies of independent intellectual property rights have achieved a number of scientific and technological innovations.
Arabic 
English 
Japanese 
German 
French 
Korean 
Portuguese 