Kurze Beschreibung:
ET Energy 4 inch GaAs Wafer ist ein hochreines Halbleitersubstrat, das für seine ausgezeichneten elektronischen Eigenschaften bekannt ist und das es zu einer idealen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen macht. ET Energie verwendet fortschrittliche Kristallwachstumstechniken, um GaAs-Wafer mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit, geringer Defektdichte und präziser Dotierung zu produzieren.
Der 4 Zoll GaAs Wafer von VET Energy ist ein wesentliches Material für High-Speed- und optoelektronische Geräte, einschließlich HF-Verstärker, LEDs und Solarzellen. Diese Wafer sind bekannt für ihre hohe Elektronenmobilität und ihre Funktionsfähigkeit bei höheren Frequenzen, was sie zu einem Schlüsselelement in fortschrittlichen Halbleiteranwendungen macht. ET Energie sorgt für hochwertige GaAs-Wafer mit gleichmäßiger Dicke und minimalen Defekten, geeignet für eine Reihe anspruchsvoller Fertigungsprozesse.
Diese 4 Zoll GaAs Wafers sind kompatibel mit verschiedenen Halbleitermaterialien wie Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer und SiN Substrate, so dass sie vielseitig für die Integration in verschiedene Gerätearchitekturen. Ob für die Epi Wafer-Produktion oder neben hochmodernen Materialien wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN Wafer verwendet, sie bieten eine zuverlässige Grundlage für die Elektronik der nächsten Generation. Darüber hinaus sind die Wafer voll kompatibel mit Cassette-basierten Handhabungssystemen, die einen reibungslosen Betrieb sowohl in Forschungs- als auch in hochvolumigen Fertigungsumgebungen gewährleisten.
ET Energie bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleitersubstraten, darunter Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Galliumoxid Ga2O3 und AlN Wafer. Unsere vielfältige Produktlinie passt auf die Bedürfnisse verschiedener elektronischer Anwendungen, von der Leistungselektronik bis zur Hochfrequenz- und Optoelektronik.
ET Energy bietet anpassbare GaAs-Wafer an, um Ihren spezifischen Anforderungen gerecht zu werden, darunter verschiedene Dotierungsstufen, Orientierungen und Oberflächen. Unser Expertenteam bietet technische Unterstützung und After-Sales-Service, um Ihren Erfolg zu gewährleisten.
WAFERING SPECIFICATIONS
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Item |
8-Inch |
6-Inch |
4-Inch |
||
n-P |
n-Pm |
n-Ps |
SI |
SI |
|
TTV(GBIR) |
≤6um |
≤6um |
|||
Bow(GF3YFCD)-Absolute Value |
≤15μm |
≤15μm |
≤25μm |
≤15μm |
|
Warp(GF3YFER) |
≤25μm |
≤25μm |
≤40μm |
≤25μm |
|
LTV(SBIR)-10mmx10mm |
<2μm |
||||
Wafer Edge |
Beveling |
SURFACE FINISH
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
Item |
8-Inch |
6-Inch |
4-Inch |
||
n-P |
n-Pm |
n-Ps |
SI |
SI |
|
Oberfläche |
Double side Optical Polish,Si- Face CMP |
||||
SurfaceRoughness |
(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm |
(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm |
|||
Edge Chips |
None Permitted (length and width≥0.5mm) |
||||
Indents |
None Permitted |
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Scratches(Si-Face) |
Qty.≤5,Cumulative |
Qty.≤5,Cumulative |
Qty.≤5,Cumulative |
||
Cracks |
None Permitted |
||||
Edge Exclusion |
3mm |
Mit Forschungs- und Entwicklungskapazitäten von Schlüsselmaterialien bis hin zu Endprodukten haben die Kern- und Schlüsseltechnologien unabhängiger geistiger Eigentumsrechte eine Reihe von wissenschaftlichen und technologischen Innovationen hervorgebracht.