Kurze Beschreibung:
Der SiC-beschichtete Graphitträger von VET Energy ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine gleichbleibende und zuverlässige Leistung über einen langen Zeitraum ausgelegt ist. Es verfügt über eine sehr gute Wärmebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit, hohe Reinheit und Erosionsbeständigkeit, was es zur perfekten Lösung für Anwendungen in der Waferverarbeitung macht.
Herkunftsort :
China
Kristallstruktur :
FCCβ-Phase
Dichte :
3,21 g/cm
Härte :
2500 Vickers
Korngröße :
2~10μm
Chemische Reinheit :
99.99995%
Wärmekapazität :
640J-kg-1-K-1
Sublimationstemperatur :
2700℃
Felexural Strength :
415 Mpa (RT 4-Punkt)
Elastizitätsmodul :
430 Gpa (4pt bend, 1300℃)
Thermische Ausdehnung (C.T.E) :
4.5 10-6K-1
Wärmeleitfähigkeit :
300(W/MK)
SiC-beschichtete Graphitträger sind eine Schlüsselkomponente, die in verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen verwendet wird. Wir nutzen unsere patentierte Technologie, um Siliziumkarbid-Träger mit extrem hoher Reinheit, guter Beschichtungsgleichmäßigkeit und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischer Stabilität herzustellen.
Merkmale unserer Produkte:
1. Hohe Temperatur Oxidationsbeständigkeit bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und mehr haltbar
CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiC Beschichtung |
|
性质 / Eigentum |
典型数值 / Typischer Wert |
晶体结构 / Kristallstruktur |
FCC β-Phase 多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Dichte |
3,21 g/cm³ |
硬度 / Härte |
2500 维氏硬度(500g Last) |
晶粒大小 / Grain SiZe |
2~10μm |
纯度 / Chemische Reinheit |
99.99995% |
热容 / Wärmekapazität |
640 J-kg-1-K-1 |
升华温度 / Sublimationstemperatur |
2700℃ |
抗弯强度 / Biegefestigkeit |
415 MPa RT 4-Punkt |
杨氏模量 / Elastizitätsmodul |
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
导热系数 / Wärmeleitfähigkeit |
300W-m-1-K-1 |
热膨胀系数 / Wärmeausdehnung(CTE) |
4.5×10-6K-1 |
VET Energy ist ein echter Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, glasartiger Kohlenstoffbeschichtung, pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung usw. und kann verschiedene kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie liefern.
Unser technisches Team kommt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann Ihnen professionelle Materiallösungen anbieten.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um noch fortschrittlichere Materialien anbieten zu können, und haben eine exklusive, patentierte Technologie entwickelt, mit der die Bindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen ist.
Wir laden Sie herzlich ein, unser Werk zu besuchen und mit uns zu diskutieren!
Mit Forschungs- und Entwicklungskapazitäten von Schlüsselmaterialien bis hin zu Endprodukten haben die Kern- und Schlüsseltechnologien unabhängiger geistiger Eigentumsrechte eine Reihe von wissenschaftlichen und technologischen Innovationen hervorgebracht.