SiC-Schichtträger für RTP/RTA

Kurze Beschreibung:

VET Energy SiC Coating Carrier For RTP/RTA is a high-performance product designed to provide consistent and reliable performance over an extended period. It has super good heat resistance and thermal uniformity, high purity, erosion resistance, making it the perfect solution for wafer processing applications.

  • Herkunftsort : China
  • Kristallstruktur : FCCβphase
  • Dichte : 3.21 g/cm;
  • Härte : 2500 Vickers;
  • Korngröße : 2~10μm;
  • Chemische Reinheit : 99.99995%;
  • Wärmekapazität : 640J·kg-1·K-1;
  • Sublimationstemperatur : 2700℃;
  • Felexural Strength : 415 Mpa (RT 4-Point);
  • Young’ s Modulus: 430 Gpa (4pt bend, 1300℃);
  • Thermische Ausdehnung (C.T.E) : 4.5 10-6K-1;
  • Thermal Conductivity: 300(W/MK);

SiC Coating Carrier For RTP/RTA is a key component used in the semiconductor manufacturing processes called Rapid Thermal Processing & Annealing, we use our patented technology to make the silicon carbide carrier with extremely high purity, good coating uniformity and an excellent service life, as well as high chemical resistance and thermal stability properties.

Merkmale unserer Produkte:

1. Hohe Temperatur Oxidationsbeständigkeit bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und mehr haltbar

CVD SiC薄膜基本物理性能

Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiC Beschichtung

性质 / Eigentum

典型数值 / Typischer Wert

晶体结构 / Kristallstruktur

FCC β-Phase 多晶,主要为(111)取向

密度 / Dichte

3,21 g/cm³

硬度 / Härte

2500 维氏硬度(500g Last)

晶粒大小 / Grain SiZe

2~10μm

纯度 / Chemische Reinheit

99.99995%

热容 / Wärmekapazität

640 J-kg-1-K-1

升华温度 / Sublimationstemperatur

2700℃

抗弯强度 / Biegefestigkeit

415 MPa RT 4-Punkt

杨氏模量 / Elastizitätsmodul

430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃

导热系数 / Wärmeleitfähigkeit

300W-m-1-K-1

热膨胀系数 / Wärmeausdehnung(CTE)

4.5×10-6K-1

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VET Energy ist ein echter Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, glasartiger Kohlenstoffbeschichtung, pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung usw. und kann verschiedene kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie liefern.

Unser technisches Team kommt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann Ihnen professionelle Materiallösungen anbieten.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um noch fortschrittlichere Materialien anbieten zu können, und haben eine exklusive, patentierte Technologie entwickelt, mit der die Bindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen ist.

Wir laden Sie herzlich ein, unser Werk zu besuchen und mit uns zu diskutieren!

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