Reinheit < 5ppm
WIRTSCHAFT Gute Doping-Uniformität
WIRTSCHAFT Hohe Dichte und Haftung
WIRTSCHAFT Gute Korrosions- und Kohlenstoffbeständigkeit
✓ Professionelle Anpassung
WIRTSCHAFT Kurze Lieferzeit
✓ Stabile Versorgung
Qualitätskontrolle und kontinuierliche Verbesserung
Epitaxie von GaN auf Saphir (RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxie von GaN auf Si Substrat (UVC);
Epitaxie von GaN auf Si Substrat (Elektronisches Gerät);
Epitaxie von Si auf Si Substrat (integrierte Schaltung);
Epitaxie von SiC auf SiC-Substrat (Substrate);
Epitaxie von InP auf InP
Hohe Qualität MOCVD Suszeptor Online kaufen in China
Ein Wafer muss mehrere Schritte durchlaufen, bevor er für den Einsatz in elektronischen Geräten bereit ist. Ein wichtiges Verfahren ist die Siliziumepitaxie, bei der die Wafer auf Graphitanfälligen getragen werden. Die Eigenschaften und Qualität der Suszeptoren haben einen entscheidenden Einfluss auf die Qualität der epitaktischen Schicht des Wafers.
Für dünne Filmabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD liefert das VET ultrareines Graphitequipment, das zur Unterstützung von Substraten oder "Wafern" verwendet wird. Im Kern des Prozesses werden diese Geräte, Epitaxieanfällige oder Satellitenplattformen für die MOCVD zunächst der Abscheideumgebung unterworfen:
Hohe Temperatur.
Hochvakuum.
Verwendung aggressiver gasförmiger Vorläufer.
Keine Verunreinigung, kein Abschälen.
Beständigkeit gegen starke Säuren bei Reinigungsvorgängen
ET Energie ist der eigentliche Hersteller von maßgeschneiderten Graphit- und Siliziumkarbid-Produkten mit Beschichtung für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Unser technisches Team kommt von führenden inländischen Forschungseinrichtungen, kann Ihnen professionellere Materiallösungen bieten.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um noch fortschrittlichere Materialien anbieten zu können, und haben eine exklusive, patentierte Technologie entwickelt, mit der die Bindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen ist.
Merkmale unserer Produkte:
1. Hohe Temperatur Oxidationsbeständigkeit bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und mehr haltbar
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CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiC Beschichtung |
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性质 / Eigentum |
典型数值 / Typischer Wert |
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晶体结构 / Kristallstruktur |
FCC β-Phase 多晶，主要为（111）取向 |
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密度 / Dichte |
3,21 g/cm³ |
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硬度 / Härte |
2500 维氏硬度（500g Last） |
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晶粒大小 / Grain SiZe |
2~10μm |
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纯度 / Chemische Reinheit |
99.99995% |
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热容 / Wärmekapazität |
640 J-kg-1-K-1 |
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升华温度 / Sublimationstemperatur |
2700℃ |
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抗弯强度 / Biegefestigkeit |
415 MPa RT 4-Punkt |
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杨氏模量 / Elastizitätsmodul |
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
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导热系数 / Wärmeleitfähigkeit |
300W-m-1-K-1 |
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热膨胀系数 / Wärmeausdehnung(CTE) |
4.5×10-6K-1 |
Wir laden Sie herzlich ein, unser Werk zu besuchen und mit uns zu diskutieren!
Mit Forschungs- und Entwicklungskapazitäten von Schlüsselmaterialien bis hin zu Endprodukten haben die Kern- und Schlüsseltechnologien unabhängiger geistiger Eigentumsrechte eine Reihe von wissenschaftlichen und technologischen Innovationen hervorgebracht.
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