Das rasche Wachstum von SiC-Einkristallen unter Verwendung von CVD-SiC-Pulverquellen (Chemical Vapor Deposition – SiC) ist eine gemeinsame Methode zur Herstellung hochwertiger SiC-Einkristallmaterialien. Diese Einkristalle können in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter leistungsstarke elektronische Geräte, optoelektronische Geräte, Sensoren und Halbleitergeräte.
ET Energie verwendet hochreines Siliciumcarbid (SiC), das durch chemische Aufdampfung (CVD) gebildet wird, als Quellmaterial für das Wachsen von SiC-Kristallen durch physikalischen Dampftransport (PVT). In PVT wird das Quellmaterial in einen Tiegel geladen und auf einen Samenkristall sublimiert.
Für die Herstellung hochwertiger SiC-Kristalle ist eine hochreine Quelle erforderlich.
ET Energie ist darauf spezialisiert, großpartikelförmige SiC für PVT bereitzustellen, da sie eine höhere Dichte als kleinteiliges Material aufweist, das durch spontane Verbrennung von Si- und C-haltigen Gasen gebildet wird. Im Gegensatz zum Festphasensintern oder der Reaktion von Si und C benötigt es keinen speziellen Sinterofen oder einen zeitaufwendigen Sinterschritt in einem Wachstumsofen. Dieses großteilige Material weist eine nahezu konstante Verdampfungsrate auf, die die Lauf-zu-Läufigkeit verbessert.
Einführung:
ANHANG CVD-SiC Blockquelle vorbereiten: Zuerst müssen Sie eine hochwertige CVD-SiC-Blockquelle vorbereiten, die in der Regel von hoher Reinheit und hoher Dichte ist. Dies kann nach dem Verfahren der chemischen Aufdampfung (CVD) unter entsprechenden Reaktionsbedingungen hergestellt werden.
2. Substratpräparation: Wählen Sie ein entsprechendes Substrat als Substrat für SiC-Einkristallwachstum. Üblicherweise verwendete Substratmaterialien sind Siliciumcarbid, Siliciumnitrid usw., die eine gute Übereinstimmung mit dem wachsenden SiC-Einkristall haben.
3. Heizung und Sublimation: Legen Sie die CVD-SiC-Blockquelle und das Substrat in einen Hochtemperaturofen und liefern Sie entsprechende Sublimationsbedingungen. Sublimation bedeutet, dass sich bei hoher Temperatur die Blockquelle direkt vom festen zum Dampfzustand ändert und dann auf der Substratoberfläche zu einem einzigen Kristall wieder kondensiert.
4. Temperaturregelung: Während des Sublimationsprozesses muss der Temperaturgradient und die Temperaturverteilung genau gesteuert werden, um die Sublimation der Blockquelle und das Wachstum von Einkristallen zu fördern. Eine geeignete Temperaturregelung kann eine ideale Kristallqualität und Wachstumsrate erreichen.
5. Steuerung der Atmosphäre: Während des Sublimationsprozesses muss auch die Reaktionsatmosphäre gesteuert werden. Als Trägergas wird üblicherweise hochreines Inertgas (wie Argon) verwendet, um einen entsprechenden Druck und eine entsprechende Reinheit zu erhalten und Verunreinigungen zu verhindern.
6. Einkristallwachstum: Die CVD-SiC-Blockquelle durchläuft während des Sublimationsprozesses einen Dampfphasenübergang und rekondensiert auf der Substratoberfläche zu einer einkristallinen Struktur. Durch entsprechende Sublimationsbedingungen und Temperaturgradientenregelung kann ein schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen erreicht werden.
Mit Forschungs- und Entwicklungskapazitäten von Schlüsselmaterialien bis hin zu Endprodukten haben die Kern- und Schlüsseltechnologien unabhängiger geistiger Eigentumsrechte eine Reihe von wissenschaftlichen und technologischen Innovationen hervorgebracht.
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