Plaquette GaAs de 4 pouces

Le Wafer GaAs de 4 pouces de FEP Energy est un matériau essentiel pour les dispositifs à haute vitesse et optoélectronique, y compris les amplificateurs RF, les LED et les cellules solaires. Ces wafers sont connus pour leur grande mobilité électronique et leur capacité à fonctionner à des fréquences plus élevées, ce qui en fait un élément clé dans les applications avancées de semi-conducteurs. FEP L'énergie assure des gaufres GaAs de qualité supérieure avec une épaisseur uniforme et des défauts minimes, adaptées à une gamme de procédés de fabrication exigeants.

Ces Wafers GaAs de 4 pouces sont compatibles avec divers matériaux semi-conducteurs tels que Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer et SiN Substrat, ce qui les rend polyvalents pour l'intégration dans différentes architectures de dispositifs. Utilisés pour la production d'Epi Wafer ou avec des matériaux de pointe comme Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer, ils offrent une base fiable pour l'électronique de prochaine génération. De plus, les wafers sont entièrement compatibles avec les systèmes de manutention à base de cassettes, ce qui assure un fonctionnement en douceur tant dans les environnements de recherche que dans les environnements de fabrication à grand volume.

FEP Énergie offre un portefeuille complet de substrats semi-conducteurs, dont Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 et AlN Wafer. Notre gamme de produits diversifiée répond aux besoins de diverses applications électroniques, de l'électronique électrique à la RF et à l'optoélectronique.

FEP Énergie offre des gaufres GaAs personnalisables pour répondre à vos besoins spécifiques, y compris différents niveaux de dopage, orientations et finitions de surface. Notre équipe d'experts fournit un soutien technique et un service après-vente pour assurer votre succès.