Short Description:
La colonne verticale Wafer Boat & Pedestal de vet-china offre une stabilité et une précision supérieures dans la manipulation des wafers pour la fabrication de semi-conducteurs. Avec la conception avancée de vet-china, ce système assure un alignement optimal et une rétention sécurisée, améliorant l'efficacité opérationnelle et réduisant les dommages de wafer.
vet-china présente l'innovant Wafer Column Boat & Pedestal, une solution complète pour le traitement avancé des semi-conducteurs. Conçu avec une précision méticuleuse, ce système de manutention de plaquettes offre une stabilité et un alignement inégalés, essentiels pour les environnements de fabrication à haut rendement.
La colonne verticale Wafer Boat & Pedestal est construite avec des matériaux premium qui garantissent la stabilité thermique et la résistance à la corrosion chimique, ce qui le rend adapté aux processus de fabrication de semi-conducteurs les plus exigeants. Sa conception de colonne verticale unique soutient les gaufres en toute sécurité, réduisant ainsi le risque de désalignement et de dommages potentiels pendant le transport et le traitement.
Avec l'intégration de vét-chinas verticale colonne Wafer Boat & Pedestal, les fabricants de semi-conducteurs peuvent s'attendre à un meilleur débit, à un temps d'arrêt réduit et à une augmentation du rendement du produit. Ce système est compatible avec différentes tailles et configurations de plaquettes, offrant flexibilité et évolutivité pour différents besoins de production.
vét-china s'engage à l'excellence s'assure que chaque colonne verticale Wafer Boat & Pedestal répond aux plus hautes normes de qualité et de performance. En choisissant cette solution de pointe, vous investissez dans une approche à l'épreuve de l'avenir de la manipulation des wafers qui maximise l'efficacité et la fiabilité dans la fabrication de semi-conducteurs.
Propriétés du carbure de silicium recristallisé
Le carbure de silicium recristallisé (R-SiC) est un matériau de haute performance dont la dureté est secondaire au diamant, qui se forme à une température supérieure à 2000°C. Il conserve de nombreuses excellentes propriétés de SiC, telles que la haute résistance à la température, une forte résistance à la corrosion, une excellente résistance à l'oxydation, une bonne résistance aux chocs thermiques, etc.
● Excellentes propriétés mécaniques. Le carbure de silicium recrystallisé a plus de résistance et de rigidité que la fibre de carbone, une résistance à l'impact élevée, peut jouer une bonne performance dans des environnements de température extrême, peut jouer un meilleur contrepoids dans une variété de situations. En outre, il a également une bonne flexibilité et n'est pas facilement endommagé par l'étirement et la flexion, ce qui améliore grandement ses performances.
● Haute résistance à la corrosion. Le carbure de silicium recrystallisé possède une résistance élevée à la corrosion de divers milieux, peut empêcher l'érosion de divers milieux corrosifs, peut maintenir ses propriétés mécaniques pendant longtemps, a une forte adhésion, de sorte qu'il a une durée de vie plus longue. En outre, il a également une bonne stabilité thermique, peut s'adapter à une certaine gamme de changements de température, améliorer son effet d'application.
∙ Le frittage ne rétrécit pas. Comme le processus de frittage ne se rétrécit pas, aucune contrainte résiduelle ne causera de déformation ou de fissuration du produit, et des pièces aux formes complexes et de haute précision peuvent être préparées.
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C'est pas vrai Propriétés physiques du carbure de silicium recrystallisé |
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性质 / Property |
典型数值 / Typical Value |
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Température de fonctionnement (°C) |
1600°C (avec oxygène), 1700°C (environnement de réduction) |
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Contenu de SiC |
> 99.96% |
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(En milliers de dollars des États-Unis) Contenu |
< 0,1% |
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Densité en vrac |
2.60-2.70 g/cm3 |
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Porosité apparente |
< 16% |
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Résistance à la compression |
> 600 MPa |
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Résistance à la flexion à froid |
80-90 MPa (20°C) |
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C'est pas vrai. Résistance à la flexion à chaud |
90-100 MPa (1400°C) |
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Dilatation thermique à 1500°C |
4.70 10-6/°C |
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Conductivité thermique à 1200°C |
23 W/m•K |
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Module élastique |
240 GPa |
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Résistance aux chocs thermiques |
Très bon |
FEP L'énergie est le véritable fabricant de produits de carbure de graphite et de silicium personnalisés avec revêtement CVD, peut fournir différentes pièces personnalisées pour l'industrie semi-conducteur et photovoltaïque. Notre équipe technique vient des plus hautes institutions de recherche nationales, peut vous fournir des solutions matérielles plus professionnelles.
We continuously develop advanced processes to provide more advanced materials, and have worked out an exclusive patented technology, which can make the bonding between the coating and the substrate tighter and less prone to detachment.
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DCV SiC薄膜基本物理性能 Basic physical properties of CVD SiC coating |
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性质 / Property |
典型数值 / Typical Value |
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晶体结构 / Crystal Structure |
FCC β phase 多晶，主要为（111）取向 |
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密度 / Density |
3.21 g/cm³ |
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硬度 / Hardness |
2500 维氏硬度（500g load） |
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晶粒大小 / Grain SiZe |
2~10μm |
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纯度 / Chemical Purity |
99.99995% |
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热容 / Heat Capacity |
640 J·kg-1·K-1 |
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升华温度 / Sublimation Temperature |
2700℃ |
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抗弯强度 / Flexural Strength |
415 MPa RT 4-point |
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杨氏模量 / Young’ s Modulus |
430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
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导热系数 / Thermal Conductivity |
300W·m-1·K-1 |
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热膨胀系数 / Thermal Expansion(CTE) |
4.5×10-6K-1 |
Warmly welcome you to visit our factory, let’s have further discussion!
Avec des capacités de recherche et de développement allant des matériaux clés aux produits d'application finale, les technologies de base et les technologies clés des droits de propriété intellectuelle indépendants ont permis de réaliser un certain nombre d'innovations scientifiques et technologiques.
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