中国メーカー SiCコーティンググラファイト MOCVDエピタキシーサセプター

純度
ツイートよいドーピングの均等性
ツイート高密度および付着
ツイートよい反腐食性およびカーボン抵抗

‣ 専門のカスタム化
ツイート短い調達期間
‣ 安定した供給
‣ 品質管理と継続的な改善

サファイア(RGB/Mini/Micro LED)のガンのエピタキシー;
Si 基板上の GaN の Epitaxy(UVC);
Si 基板上の GaN の Epitaxy(電子デバイス);
Si基板上のSiのエピタキシー(集積回路);
SiC 基板上の SiC の Epitaxy (基質);
InPのEpitaxy

High quality MOCVD Susceptor Buy online in China

A wafer needs to pass through several steps before it is ready for use in electronic devices. One important process is silicon epitaxy, in which the wafers are carried on graphite susceptors. The properties and quality of the susceptors have a crucial effect on the quality of the wafer’s epitaxial layer.

For thin film deposition phases such as epitaxy or MOCVD, VET supplies ultra-pure graphiteequipment used to support substrates or “wafers”. At the core of the process, this equipment, epitaxy susceptors or satellite platforms for the MOCVD, are first subjected to the deposition environment:

High temperature.
High vacuum.
Use of aggressive gaseous precursors.
Zero contamination, absence of peeling.
Resistance to strong acids during cleaning operations

VET Energy is the real manufacturer of customized graphite and silicon carbide products with coating for semiconductor and photovoltaic industry. Our technical team comes from top domestic research institutions, can provide more professional material solutions for you.

高度な材料を継続的に開発し、独自の特許技術を開発し、コーティングと基材の緊密で、剥離への負担を軽減することができます.

私達のプロダクトの特徴:

1。 1700°Cまでの高温酸化抵抗.
2。高い純度および熱均等性
3。優秀な耐食性:酸、アルカリ、塩および有機性試薬.
4。高い硬度、密集した表面、良い粒子.
5。より長い耐用年数および耐久

CVD ログインツイート基礎研究 CVD SiCの基本的な物理的性質コーティング
特性/特性	典型的な値
振動子/結晶構造	FCC β 相晶多, 主人 (111) 取方
密度/密度	3.21 g/cm3
硬度/硬度	2500 氏の硬度(500gの負荷)
大大小	2~10μm
粒度/化学純度	99.99995%
結束/熱容量	640 J・kg^-1・K^-1
温度/昇華温度	2700°C
引張強さ/引張強さ	415 MPa RT 4点
氏の模倣の量/ヤングのs Modulus	430 Gpa 4ptのくねり、1300°C
导热系数/熱伝導率	300W・m^-1・K^-1
熱膨張(CTE)	4.5×10^-6ログイン^-1