Contiguous 웨이퍼 배

짧은 묘사:

Vet-china의 Contiguous Wafer Boat는 반도체 제조에 효율적인 웨이퍼 취급을 위해 설계되었습니다. 정밀 설계, vet-china의 솔루션은 열 안정성과 화학적 저항을 보장하며 손상과 강화 처리량을 최소화하면서 생산 공정을 최적화합니다.

vet-china는 반도체 제조의 차세대를 위해 설계된 최첨단 Contiguous Wafer Boat를 소개합니다. 이 정교한 디자인 보트는 웨이퍼 핸들링에서 탁월한 정밀도를 제공하며, 원활한 작동을 보장하고 처리 중에 손상 위험을 크게 줄여줍니다.

고품질 물자로 건축해, Contiguous 웨이퍼 배는 고열과 가혹한 화학 환경에 대하 이상적입니다 우수한 열 안정성 및 우수한 내화학성을 자랑합니다. 혁신적인 디자인은 웨이퍼가 안전하게 보관되고 완벽하게 정렬되고 최적화된 처리량을 보장하며 제조 효율성을 높입니다.

이 절단 가장자리 웨이퍼 배는 각종 웨이퍼 크기 및 윤곽을 지원하는 현대 반도체 fabs의 요구에 응하기 위하여 tailored. vet-china에서 생산 라인으로 Contiguous Wafer Boat를 통합함으로써 향상된 성능, 감소 된 가동 시간 및 증가 된 수율률을 기대할 수 있습니다.

품질 및 혁신에 대한 vet-china의 약속과 차이를 경험해 반도체 제조의 경계를 밀어주는 제품을 제공합니다. Contiguous Wafer Boat를 선택하고 웨이퍼 처리 능력을 새로운 높이십시오.

Recrystallized 실리콘 카바이드의 특성

Recrystallized 실리콘 카바이드 (R-SiC)는 2000 °C 이상의 고온에서 형성되는 다이아몬드에만 경도가 두 번째로 고성능 소재입니다. 그것에는 고열 힘 강한 내식성, 우수한 산화 저항, 좋은 열충격 저항과 같은 SiC의 많은 우수한 재산을 등 유지합니다.

● 우수한 기계적 성질. Recrystallized 실리콘 탄화물에는 탄소 섬유, 고 영향도 저항 보다는 더 높은 힘 및 뻣뻣함, 극단적인 온도 환경에 있는 좋은 성과를 할 수 있습니다, 다양한 상황에서 더 나은 카운터밸런스 성과를 할 수 있습니다. 또한, 그것은 또한 좋은 융통성이 있고 매우 그것의 성과를 개량하는 기지개하고 구부리기에 의해 쉽게 손상되지 않습니다.

● 높은 내식성. Recrystallized 실리콘 탄화물에는 다양한 매체에 높은 내식성이 있습니다, 부식성 매체의 부식을 방지할 수 있습니다, 장시간을 위한 그것의 기계적 성질을 유지할 수 있습니다, 강한 접착이 있습니다, 그래서 더 긴 서비스 기간이 있습니다. 또한, 그것에는 또한 좋은 열 안정성이, 온도 변화의 특정 범위에 적응할 수 있고, 그것의 신청 효력을 개량합니다.

· 소결은 수축하지 않습니다. 소결 과정이 수축하지 않기 때문에, 잔여 긴장은 제품의 개악 또는 부수기 일으키는 원인이 되고, 복잡한 모양과 높은 정밀도를 가진 부속은 준비될 수 있습니다.

Recrystallized 실리콘 카바이드의 물리적 특성
/ 재산	/ 일반 값
/ 작동 온도 (°C)	1600°C ( 산소에), 1700°C (환경을 감소시키는)
SiC / / SiC 내용	> 99.96%
自由 / 무료 Si 내용	크기: 0.1%
体 / 대량 밀도	2.60-2.70의 g/cm³
/ 투명성	< 16%
/ 압축 강도	> 600의 MPa
/찬 구부리는 힘	80-90 MPa (20°C)
₢ 킹 핫 굽힘 강도	90-100 MPa (1400°C)
/ 열팽창 @1500°C	4.70 10^-6·°C
/열전도 @1200°C	23 W/m·K
/ 탄성 계수	240 개
/ 열충격 저항	매우 좋은

VET의 에너지는 CVD 코팅을 가진 주문을 받아서 만들어진 흑연과 실리콘 탄화물 제품의 진짜 제조자이고, 반도체와 광전지 기업을 위한 각종 주문을 받아서 만들어진 부속을 공급할 수 있습니다. 우리의 기술 팀은 최고 국내 연구 기관에서 옵니다, 당신을 위한 직업적인 물자 해결책을 제공할 수 있습니다.

우리는 지속적으로 고급 재료를 제공하기 위해 고급 프로세스를 개발하고, 코팅과 기판 꽉 끼고 더 적은 prone과 detachment에 결합 할 수있는 독점적 인 특허 기술에서 일했습니다.

· CVD (주)· CVD SiC의 기본 물리적 특성 제품정보
/ 재산	/ 일반 값
COIN体结构 / 크리스탈 구조	FCC β 단계 多PSK,,(111) 덧셈
☸ / 밀도	3.21의 g/cm3
/ 경도	2500 2500 (500g 짐)
大大小 / 곡물 SiZe	2~10μm의
/화학 순수성	99.99995%
/ 열용량	640 J·kg^-1·K^-1
/ 승화 온도	파장: 2700nm
/ 굽힘 강도	415 MPa RT 4 점
s / 영의 조수	430 Gpa 4pt 굴곡, 1300°C
/ 열전도	300W·m^-1·K^-1
/ 열팽창(CTE)	크기: 4.5×10^-6·^-1

우리의 공장을 방문하는 온난하게 환영, 더 토론이 있!

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